台积电将会在2nm工艺上采用GAAFET取代finFET

来源:快科技 作者:子墨 时间:2022-04-18 14:56 阅读量:11136   

二是有关台积电2nm工艺节点的时间表问题,魏哲家表示,其公司的2nm工艺正在研发中,有信心在2nm工艺依旧保持技术领先地位,该工艺将会在2024年开始预生产,与于2025年正式投产。

台积电将会在2nm工艺上采用GAAFET取代finFET

根据消息显示,台积电将会在2nm工艺上采用GAA FET,取代finFET 目前三星为了和台积电竞争,做法比较激进,将会在3nm工艺就用上GAA技术而台积电为了提供给客户最成熟的技术,最好的效能及最佳的成本,保守的选择finFET技术生产3nm工艺芯片

台积电预测,HPC将会是其今年增长最快的领域上一季度HPC占其收入的41%,仅比智能手机产生的40%略高物联网和汽车分别以了8%和5%的收入占比,排在第三和第四位

外媒在报道中提到,台积电计划建设2nm工艺工厂的地方,目前是一处高尔夫球场,靠近中部科学工业园区,由一个企业集团所拥有,有大量的土地可供利用。

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